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早稲田大学 理工学術院 大学院基幹理工学研究科 材料科学専攻

〒169-8555 東京都新宿区大久保3-4-1
早稲田大学 西早稲田キャンパス

 国吉 ニルソン 教授(材料反応動力学研究) 

●学歴
1984年 サンパウロ大学工学部化学工学科卒業
1988年 京都大学工学研究科工業化学専攻修士課程修了
1992年 京都大学工学研究科工業化学専攻博士後期課程単位取得退学
1993年 京都大学 博士(工学)学位受領

●職歴
1993年−2002年 岡山県立大学情報工学部 専任講師
2002年−2007年 大阪大学大学院工学研究科 専任講師
2007年−2009年 早稲田大学理工学術院創造理工学部 准教授
2009年−現在 早稲田大学理工学術院創造理工学部 教授

●研究内容
量子化学計算を手法として,固体・気体の界面で生じる化学反応の機構を解明する研究を行っております.現在,化学蒸着 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 法によって半導体シリコンの単結晶が成長する過程を調べています.トリクロロシラン (SiHCl3) と水素 (H2) の混合気から塩化ケイ素分子が生成する気相反応,気体分子の固体表面への吸着,塩素の表面からの脱着反応など,一連の反応を解析しています.各段階の反応動力学と速度定数を求めることによってプロセス全体の解明と最適化を図ります.また,シリコン等の固体表面上で吸着された後,二酸化炭素が他分子と反応して有機分子等が生成する可能性を探っています.




図 SiCl2分子がシリコン表面で吸着された状態を,原子クラスターを用いた計算によって再現した結果

バナースペース

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基幹理工学研究科 材料科学専攻

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